首页> 中国专利> 一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法

一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法

摘要

本发明公开了一种太阳电池的双面扩散方法,尤其是一种可改善P型硅太阳电池的电性能的双面扩散方法,其具体步骤包括:硅片非受光面磷吸杂、磷硅玻璃去除、硅片受光面磷扩散形成发射极。本发明通过先在硅片非受光面进行磷吸杂再在硅受光面进行磷扩散制作发射极的双面扩散方法,因两个步骤分开进行,使得磷吸杂工艺不会受到制作发射极工艺的制约,实现磷吸杂的吸杂效果以及对硅片表面的钝化效果达到最佳,不仅可大大提高硅片的少子寿命,而且能提高太阳电池的转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN103646995A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 奥特斯维能源(太仓)有限公司;

    申请/专利号CN201310631199.3

  • 发明设计人 李静;邢国强;张斌;夏正月;

    申请日2013-11-29

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人刘燕娇

  • 地址 215434 江苏省苏州市太仓市太仓港港口开发区平江路88号

  • 入库时间 2024-02-19 22:57:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20140319 申请日:20131129

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-04-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20131129

    实质审查的生效

  • 2014-03-19

    公开

    公开

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