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机译:一种用于改善优选的硅平面半导体组件的电性能的方法
公开/公告号DE1564707A1
专利类型
公开/公告日1970-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1966S105859
发明设计人 HELMUTH MURRMANNDIPL.-PHYS.DR.;
申请日1966-09-14
分类号H01L7/46;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 11:08:33
机译: 电绝缘体是一种用于制造单片集成电路的平面半导体器件的方法,该平面半导体器件通过介电材料彼此相对并且抵靠半导体的其余区域而具有一半导体部分区域
机译: 一种使用光敏硅的反射减少的方法-平面半导体组件