一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作为金属互联的金属层(8)。本发明同时公开了一种制作低量程高灵敏度MEMS压力传感器的方法。由于多孔硅材料具有优越的压阻性能和机械性能，采用此结构的多孔硅MEMS压力传感器可以在保持线性度的同时提高灵敏度，同时通过灵活的结构设计可以实现在超低压力范围的应用。