使用选择性外延生长制造横向结型场效应晶体管的方法

摘要

本发明描述了诸如横向结型场效应晶体管(JFET)等半导体器件的制造方法，所述方法为自对准方法，并包括使用再生长掩模材料进行选择性外延生长以形成器件的栅极区或源/漏区。所述方法可消除对离子注入的需要。所述器件可由诸如SiC等宽带隙半导体材料制成。所述再生长掩模材料可以为TaC。这些器件可用于苛刻的环境，包括涉及接触辐射和/或高温的应用。