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无需离子注入来制造垂直结型场效应晶体管和双极结型晶体管的方法以及由该方法制造的器件

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本发明描述了制造例如垂直结型场效应晶体管(VJFET)或双极结型晶体管(BJT)的方法。该方法不需要离子注入。VJFET器件具有外延再生长的n型沟道层和外延再生长的p型栅极层以及外延生长的埋入栅极层。本发明还描述了通过该方法制造出的器件。

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公开/公告号CN102549752B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-08-20

原文格式PDF
申请/专利权人 PI公司;
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申请/专利号CN201080036573.X
发明设计人成林;
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申请日2010-06-18
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人李辉
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:20:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/73 授权公告日:20140820 终止日期:20160618 申请日:20100618

专利权的终止
2014-08-20

授权

授权
2014-08-20

授权

授权
2013-11-13

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/73 变更前: 变更后: 登记生效日:20131022 申请日:20100618

专利申请权、专利权的转移
2013-11-13

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/73 变更前: 变更后: 登记生效日:20131022 申请日:20100618

专利申请权、专利权的转移
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/73 申请日:20100618

实质审查的生效
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/73 申请日:20100618

实质审查的生效
2012-07-04

公开

公开
2012-07-04

公开

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