阻障堆叠结构及形成阻障堆叠结构的方法

摘要

本发明是有关于一种阻障堆叠结构及形成阻障堆叠结构的方法。该方法包括提供一基板；以一第一气相沉积工艺形成一导体层于该基板上；以一第二气相沉积工艺形成一第一非晶质薄膜于该导体层上；对该第一非晶质薄膜进行一改质工艺，以将该第一非晶质薄膜改质为一第一阻障层，该第一阻障层包括一第二非晶质薄膜及一晶体化薄膜，其中该晶体化薄膜位于该第二非晶质薄膜的上表面；以一化学气相沉积工艺形成一第二阻障层于该第一阻障层上，以形成阻障堆叠结构。