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在沟槽DMOS中制备带有阶梯厚度的栅极氧化物的方法

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摘要

提出了一种在沟槽式DMOS器件中，制备带有步进分级厚度的栅极-氧化物的方法。首先，提供衬底，并且在上方制备氧化硅-氮化硅-氧化硅（ONO）保护复合层。其次，在衬底中，制备上部临时沟槽、上部沟槽保护壁以及下部临时沟槽。然后，在厚度为T1、深度为D1的所需的厚氧化层中，形成下部临时沟槽周围的衬底材料的图案，并氧化。之后，从制备中的器件上剥去之前形成的上部沟槽保护壁，然后在上部临时沟槽的垂直表面上，制备厚度为T2（T2

著录项

  • 公开/公告号CN103295908A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201310052209.8

  • 发明设计人 丁永平;雷燮光;安荷·叭剌;

    申请日2013-02-18

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人竺路玲

  • 地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号94085

  • 入库时间 2024-02-19 20:56:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20130911 申请日:20130218

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20130218

    实质审查的生效

  • 2013-09-11

    公开

    公开

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