一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构

摘要

本发明公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔；以及插通所述开孔形成于籽晶托上的测温管。本发明的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。