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一种常压氮化反应合成氮化硅粉体的方法

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摘要

本发明属于氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域，特别涉及一种常压氮化快速反应合成氮化硅粉体的方法。本发明首先制备气孔率为80～90％的泡沫坯体，泡沫坯体中反应物Si和稀释剂Si

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-01

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B21/068 申请公布日:20130911 申请日:20120222

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-10-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B21/068 申请日:20120222

实质审查的生效
2013-09-11

公开

公开

1. 一种常压氮化反应合成氮化硅粉体的方法 [P] . 中国专利： CN103288062A . 2013-09-11
2. 常压燃烧合成氮化硅粉体的方法 [P] . 中国专利： CN1657404A . 2005-08-24
3. SILICON NITRIDE POWDER PRODUCTION METHOD, SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2832687B1 . 2018-11-14

机译：氮化硅粉的生产方法，氮化硅粉，氮化硅烧结体和使用相同的电路基板
4. SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3156366A4 . 2017-11-29

机译：氮化硅粉，氮化硅烧结体和电路基质以及制备的氮化硅粉的生产方法
5. SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER [P] . SG11201610089QA . 2017-01-27

机译：氮化硅粉，氮化硅烧结体和电路基质以及制备的氮化硅粉的生产方法