法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G9/20 申请公布日:20130807 申请日:20130423
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-09-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/20 申请日:20130423
实质审查的生效
2013-08-07
公开
公开
机译: 包含Yb掺杂的ZnO的透明导电复合物的制备方法,透明导电组合物,涂膜和包含其的光学器件
机译: 具有修饰孔隙率和比表面积的镧掺杂的CuO-ZNO-AL2O3复合氧化物的制备方法
机译: 电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)设备,系统和方法,用于通过使用ICP-CVD设备和光功率复合半导体在没有任何掺杂过程的情况下制造p型Zno薄膜