机译:用于GaN LED应用的Sn掺杂ZnO / Ag / Sn掺杂ZnO透明接触层的溅射沉积
Elect & Telecommun Res Inst, Mat & Components Lab, Daejeon 34129, South Korea|Univ Sci & Technol, Dept Adv Device Technol, Daejeon 34113, South Korea;
Chonbuk Natl Univ, Sch Semicond & Chem Engn, Semicond Phys Res Ctr, Jeonju 54896, Chonbuk, South Korea;
Elect & Telecommun Res Inst, Mat & Components Lab, Daejeon 34129, South Korea|Univ Sci & Technol, Dept Adv Device Technol, Daejeon 34113, South Korea;
Elect & Telecommun Res Inst, Mat & Components Lab, Daejeon 34129, South Korea|Univ Sci & Technol, Dept Adv Device Technol, Daejeon 34113, South Korea;
Chonbuk Natl Univ, Sch Semicond & Chem Engn, Semicond Phys Res Ctr, Jeonju 54896, Chonbuk, South Korea;
GaN; Transparent contact layer; LED;
机译:使用通过原子层沉积法生长的Ga掺杂或In掺杂的ZnO透明导电层的GaN基LED的特性
机译:原子层沉积法修饰ZnO纳米粒子修饰的HfO2 / Sn掺杂的In2O3核壳纳米线:通过表面修饰工程增强场发射行为
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的具有Al掺杂的ZnO透明导电层的GaN基LED:超低正向电压和高度均匀性
机译:脉冲激光沉积制备透明导电掺杂Sn的ZnO薄膜的物理性质研究
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:ZnF2掺杂的ZnO靶在不同溅射衬底温度下沉积F掺杂的ZnO透明薄膜
机译:用于GaN LED应用的SN掺杂ZnO / Ag / Sno掺杂ZnO透明接触层的溅射沉积