Institute of Electronic Engineering Minghsin University of Science and Technology Hsinchu 30401 Taiwan;
Department of Optoelectronic System Engineering Minghsin University of Science and Technology Xinfeng Hsinchu 30401 Taiwan;
Institute of Physics Academia Sinica Nankang 115 Taipei Taiwan;
机译:电子束物理气相沉积法制备ZnO-Al_2O_3-Y_2O_3透明导电金属氧化物薄膜的性能研究
机译:电子束物理气相沉积法制备ZnO-Al_2O_3-Y_2O_3透明导电金属氧化物薄膜的性能研究
机译:脉冲激光沉积法制备掺CdTe的氧化铟透明导电氧化物薄膜
机译:脉冲激光沉积制备的透明导电氧化物Sn掺杂ZnO薄膜物理性质的研究
机译:通过中和离子束溅射和脉冲激光沉积沉积的n型薄膜透明导电氧化物的电学和光学性质的制备和表征。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:脉冲激光沉积(pLD)生长透明导电ZnO薄膜的结构与性能