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用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元

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本发明公开了一种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，其特征在于，该选通器件单元包括一个n-p二极管和一个p-n二极管，该n-p二极管和该p-n二极管的极性相反且并联连接，使该选通器件单元具有双向整流特性。本发明提供的这种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，具有双向整流特性，即在导通态时在任意电压极性下都能够提供较高的电流密度，同时在读电压下也具有较大的整流比(R

著录项

公开/公告号CN103137646A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-05

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN201310084292.7
发明设计人刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;王艳;
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申请日2013-03-15
分类号H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2024-02-19 19:24:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-16

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/24 申请公布日:20130605 申请日:20130315

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/24 申请日:20130315

实质审查的生效
2013-06-05

公开

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1. 用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元 [P] . 中国专利： CN103137646A . 2013-06-05
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