Complementary switching on TiN/MgZnO/ZnO/Pt bipolar memory devices for nanocrossbar arrays

Xinman Chen; Wei Hu; Shuxiang Wu

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Complementary switching on TiN/MgZnO/ZnO/Pt bipolar memory devices for nanocrossbar arrays

机译：用于纳米交叉开关阵列的TiN / MgZnO / ZnO / Pt双极存储器件的互补开关

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We report the reproducible complementary switching based on the exceptional TiN/MgZnO/ZnO/Pt bipolar resistive memory devices. The uniform complementary switching with good endurance was observed after the second electroforming process. The resultant complementary switching of TiN/MgZnO/ZnO/Pt devices were interpreted in view of rupture and recovery of conductive filaments inside MgZnO layer and ZnO layer resulted from the redistribution of oxygen vacancies. The TiN/MgZnO/ZnO/Pt devices with complementary switching characteristics ensure the capability to suppress the sneak current paths of cross-point memories, and have great potential applications for future 3D crossbar memory architecture

机译：我们报告了基于出色的TiN / MgZnO / ZnO / Pt双极电阻存储器件的可再现互补开关。在第二次电铸过程后，观察到具有良好耐久性的均匀互补开关。鉴于氧空位的重新分布导致了MgZnO层和ZnO层内部的导电细丝的断裂和恢复，解释了TiN / MgZnO / ZnO / Pt器件产生的互补开关。具有互补开关特性的TiN / MgZnO / ZnO / Pt器件确保了抑制交叉点存储器的潜电流路径的能力，并且在未来的3D交叉开关存储器架构中具有巨大的潜在应用

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来源
《Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics》 |2014年第null期|共3页
作者
Xinman Chen; Wei Hu; Shuxiang Wu;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Resistance random access memory; Complementary switching; MgZnO/ZnO heterostructure; Sneak current;

机译：电阻随机存取存储器;互补开关;MgZnO / ZnO异质结构;潜电流;

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