兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种兼容自对准孔和表面沟道的金-氧-半场效应管的栅极膜结构及其制造方法，在硅衬底上依次包括以下的薄膜结构：栅极氧化膜、栅极多晶硅、金属钛以及氮化钛或者氮化钨、金属硅化物、自对准通孔用氮化硅；上述一系列膜整体构成MOSFET栅极膜层，亦即栅极层最终的图形纵向结构。本发明可以同时兼容SAC和表面沟道的工艺，从而既进一步缩小了器件尺寸，又降低了工作电压，提高了驱动电流，从而提高芯片整体性能。