首页> 中国专利> MEMS压力传感器阵列、其制作方法及压力测量方法

MEMS压力传感器阵列、其制作方法及压力测量方法

摘要

不同于采用空腔内压强为某一特定大小的MEMS压力传感器进行压力测量的方案,本发明采用位于同一芯片的每个空腔内压强大小不等的多个MEMS压力传感器,即MEMS压力传感器阵列进行压力测量,当外界压强变化时,尤其变化剧烈时,使得至少一个MEMS压力传感器的空腔内压强可能接近测量环境的压强,利用该MEMS压力传感器的敏感薄膜在平衡位置(上下压强接近)附近具有的较好线性度,从而实现对外界压力测量准确的目的,此外,相对于特定空腔内压强的压力传感器,也可以实现较大压强范围的测量。基于上述MEMS压力传感器阵列,本发明还提供了该MEMS压力传感器阵列的制作方法,用于该MEMS压力传感器阵列的压力测量方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103063350A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210564055.6

  • 发明设计人 黎坡;

    申请日2012-12-21

  • 分类号G01L9/12(20060101);B81B3/00(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2024-02-19 19:02:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-13

    授权

    授权

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01L9/12 申请日:20121221

    实质审查的生效

  • 2014-04-30

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01L9/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20140408 申请日:20121221

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-04-24

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号