具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法

摘要

本发明公开了一种具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法，包括以下步骤：第一步，按照器件结构，将漏侧漂移区分为三部分：沟道有源区下的漂移区Loverld、场氧下的漂移区Ldrift1和漏极有源区下的漂移区Ldrift2；将源侧漂移区也分为三部分：沟道有源区下的漂移区Lovers、场氧下漂移区Ldrifts1和源极有源区下的漂移区Ldrifts2；第二步，精确模拟每部分漂移区的电阻特性；采用下述公式模拟器件的栅源电压Vgs、漏源电压Vds和体源电压Vbs对漂移区电阻特性的影响；