机译:具有复杂多电阻漂移区和场板的高压LDMOSFET的优化
Graduate School of Optoelectronics, National Yunlin University of Science and Technology, Taiwan, ROC;
Graduate School of Optoelectronics, National Yunlin University of Science and Technology, Taiwan, ROC;
Graduate School of Optoelectronics, National Yunlin University of Science and Technology, Taiwan, ROC;
机译:上漂移区双步局部SOI LDMOSFET:一种提高击穿电压和输出特性的新型器件
机译:沟槽氧化物和场板对SOI LDMOSFET击穿电压的影响
机译:具有多晶硅和金属场板的高性能600V LDMOSFET,用于SOI高压集成电路
机译:CF_4等离子体处理在高压GaN MOSC-HEMT漂移区优化中的研究
机译:射频硅LDMOSFET中虚拟栅极(场板)偏置效应的表征和建模。
机译:X射线暗场胸部X射线摄影中管电压的优化
机译:使用栅极板,源场板和排水场板仿真AlGaN / GaN Hemts'击穿电压增强
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。