公开/公告号CN101558188B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 松下电器产业株式会社;
申请/专利号CN200880001092.8
申请日2008-03-05
分类号H01L33/00(20100101);C30B29/38(20060101);C30B19/02(20060101);H01S5/323(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汪惠民
地址 日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:11:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-03-13
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130205 申请日:20080305
专利申请权、专利权的转移
2012-08-29
授权
授权
2009-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-14
公开
公开
机译: 制造该方法获得的III族元素氮化物晶体基质和III族元素氮化物半导体器件以及III族元素氮化物晶体基质和III族元素氮化物半导体器件的方法
机译: III族元素氮化物晶体的制造方法,III族元素氮化物晶体,半导体装置,半导体装置的制造方法以及III族元素氮化物晶体的制造装置
机译: III族元素氮化物晶体的制造方法,III族元素氮化物晶体,半导体装置,半导体装置的制造方法以及III族元素氮化物晶体制造装置