首页> 中国专利> Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体

Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体

摘要

本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法;以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法,即,将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中,在含氮气体气氛下,将晶体生长容器加压加热,在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应,以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体,其中,在将晶体生长容器加压加热之前,添加沸点高于碱金属的熔点的烃。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-13

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130205 申请日:20080305

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-08-29

    授权

    授权

  • 2009-12-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号