Открытие стоячих экситонов большого радиуса и аналитическое описание спектров их комбинационного рассеивания. Часть 2. Применение кумулятивной квантовой механики для описания самоорганизующихся кумулятивно-диссипативных мерцающих водородоподобных кристаллов металлического типа, формируемых стоячими экситонами большого радиуса в легированных кристаллах диэлектриков IV группы элементов

摘要

По экспериментальным спектрам комбинационного рассеивания (КРС) открыты стоячие экситоны Высикайло в области внедрения в кристаллическую решётку инородного атома и предложен способ определения профилей ε(r) в волновых ε-структурах с шагом Δr≈0,529ε(r) (n-1/4)/Z, где Z- заряд, локализованный в наноструктуре; п - главное квантовое число, формирующейся на структуре квантовой точки (КТ). На основе кумулятивной квантовой механики (ККМ) в легированных кристаллах описывается: 1) расщепление уровня с главным квантовым числом п на два (с энергией расщепления ΔE_(n-(1/2), n) ～ п-(1/4) в случае потенциального барьера и с ΔE_(n-(1/2),n)=13,56(((ε_(n-(1/2)(r)(n-1/2))~(-2)-(ε_n(r)n)~(-2)) эВ в случае потенциальной ямы с профилированным ε(r); 2) известные в литературе КРС полых водородоподобных КТ, формирующих мерцающие или возбуждённые микро- или нанокристаллы, в любых опорных кристаллах, легированных примесями, замещающими атомы в кристаллической решётке. При облучении легированного кристалла резонансным излучением КТ переходят в возбужденные состояния и их электронные оболочки перекрываются, формируя возбуждённый (мерцающий) кристалл металлического (водородного) типа в матрице опорного кристалла. Предлагается способ изготовления макроскопического твёрдого кристалла с заданной концентрацией КТ и соответствующим главным числом п, определяющим степень возбуждения мерцающего кристалла (сверхрешётки) внутри опорного кристалла.