一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种高迁移率III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一单晶衬底，在单晶衬底上形成的缓冲层，在缓冲层中形成的平面掺杂层，在缓冲层上形成的高迁移率沟道层，在高迁移率沟道层上形成的掺杂界面控制层，在掺杂界面控制层上形成的高掺杂半导体层，在高掺杂半导体层上形成的窄带隙欧姆接触层，在窄带隙欧姆接触层上形成的源漏金属电极，刻蚀至掺杂界面控制层的栅槽结构位于二个源漏金属电极中间，高K栅介质均匀覆盖栅槽内表面，栅金属电极形成于高K栅介质上。本发明公开的III-V MOS器件结构不仅能降低MOS界面态密度、提高沟道迁移率，而且可以提高沟道中二维电子(空穴)气浓度，满足高速低电压工作高迁移率CMOS技术的应用需求。