用于迁移率改进的N-MOS的拉伸的源极漏极III-V族晶体管

摘要

公开了一种n‑MOS晶体管器件和用于形成这种器件的方法。所述n‑MOS晶体管器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有形成在衬底上方的一个或多个替换有源区。所述替换有源区包括第一III‑V族半导体材料。栅极结构形成在所述替换有源区上方。源极/漏极(S/D)凹陷形成在与所述栅极结构相邻的所述替换有源区中。替换S/D区形成在S/D凹陷中并且包括第二III‑V族半导体材料，所述第二III‑V族半导体材料具有比所述第一III‑V族半导体材料的晶格常数更小的晶格常数。第二III‑V族材料的较小的晶格常数诱发了由所述第一III‑V族材料形成的所述沟道上的单轴应变。所述沟道中的所述单轴应变改进了所述n‑MOS器件中的载流子迁移率。