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公开/公告号CN110494936A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-22
原文格式PDF
申请/专利权人 印可得株式会社;
申请/专利号CN201880023882.X
发明设计人 郑光春;文炳雄;金修汉;金在麟;
申请日2018-02-20
分类号H01B13/00(20060101);H01B1/16(20060101);H01B3/30(20060101);
代理机构11482 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宋宝库
地址 韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 17:23:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-22
公开
机译: 制造包括种子层的转移膜的方法,通过选择性地蚀刻种子层来制造电路板的方法以及蚀刻溶液组合物
机译: 包含种子层的转移膜的制造方法利用导电层和蚀刻剂的选择性蚀刻制造电路板的方法
机译:需求 - 薄Cr基团种子层组成依赖性Cr组种子层组合物依赖性-Cr组种子层组合物浓缩-Cr组种子层的熔点,氧亲和力与介质的微观结构之间的关系
机译:Al2O3种子层对使用原位原子层沉积制造的超薄MgO膜的介质和电性能的影响
机译:用于制造成形弹性制品的具有高熔体强度的热塑性弹性体组合物,其制造方法,用作均质添加剂以使熔体应变硬化的预混合物,用于组合物的方法,用于制备预混物的方法,模制的柔性热塑性弹性体制品及其制造方法
机译:利用固相结晶种子层的ZnO膜的新型制造方法
机译:利用SEDUM种子作为绿色屋顶通过种子增强技术的安装方法
机译:通过添加制造方法使用纳米级粉末从金属陶瓷组合物制造产品的可能性
机译:由共价层逐层制造的反应性聚合物多层组合物:1,4-缀合的添加基于功能生物界面的方法
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。