利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法及蚀刻液组合物

摘要

本发明涉及一种选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的电路形成方法。本发明的电路形成方法的特征在于在导电性种子层(Seed layer)和电路层由异种金属形成的基板材料上，选择性地仅蚀刻种子层以实现微细间距。而且，涉及一种不蚀刻镀铜(Cu)电路，选择性地仅蚀刻银(Ag，silver)或银合金(Silver alloy)或银化合物(Silver compound)种子层的电路形成方法和蚀刻液组合物。