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具有暴露的重新分布层特征的半导体封装件以及相关的封装和测试方法

摘要

本公开提供了一种对在其表面上具有接合焊盘(120)的半导体器件进行封装的方法,该方法包括:形成电耦接到接合焊盘的重新分布材料(140);在重新分布材料上方形成介电材料(150);以及移除介电材料的第一部分以暴露重新分布材料的第一部分。半导体封装件可包括重新分布层,该重新分布层具有:第一部分,该第一部分邻近并耦接到封装件的第一触点(170);第二部分(152),该第二部分被介电材料(150)中的第一开口暴露;以及重新分布线(140),该重新分布线电耦接到第一接合焊盘(120)、该第一部分和该第二部分。可测试此类封装件,将至少一个探测针放置成与封装件的至少一个端子接触、通过端子将来自探测针的测试信号提供至封装件,以及使用针检测信号。

著录项

  • 公开/公告号CN110494964A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微芯片技术股份有限公司;

    申请/专利号CN201880022899.3

  • 发明设计人 M·拉姆;

    申请日2018-03-28

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈斌

  • 地址 美国亚利桑那州

  • 入库时间 2024-02-19 17:18:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20180328

    实质审查的生效

  • 2019-11-22

    公开

    公开

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