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具有自对准焊料凸块的衬底通孔

摘要

半导体结构和形成该半导体结构的方法包括与衬底通孔自对准的焊料凸块,其中,焊料凸块和衬底通孔由导电金属材料形成,并且其中衬底通孔耦合到由不同的导电金属材料形成的掩埋金属化层。

著录项

  • 公开/公告号CN110574158A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201780089942.3

  • 发明设计人 D·亚伯拉罕;J·M·科特;

    申请日2017-11-29

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人李永敏

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2024-02-19 17:13:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/485 申请日:20171129

    实质审查的生效

  • 2019-12-13

    公开

    公开

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