半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底表面具有栅极结构，所述第二区基底表面具有伪栅结构，所述伪栅结构底部的基底内具有隔离结构；所述栅极结构两侧的基底内分别形成源漏开口，所述源漏开口的侧壁具有顶角，顶角向位于栅极结构底部的基底内延伸，且所述源漏开口暴露出隔离结构的侧壁；在所述源漏开口内形成初始体层，初始体层的顶部以及靠近隔离结构的部分侧壁被暴露出；对初始体层进行重塑处理，形成体层，体层包括暴露出的重塑面，重塑面平坦；在所述体层表面形成保护层。所述方法能够提高半导体器件的性能。