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目录
引言
第一章 综 述
1.1低维纳米材料简介
1.2半导体纳米材料简介
1.3 半导体纳米材料的特性
1.4 低维半导体纳米材料的制备
1.5 低维半导体纳米材料的应用
1.6 透射电镜在低维半导体纳米材料表征中的应用
1.7 选题目的与意义
第二章 不同退火温度下所制备的锗纳米晶受应力作用而产生的微观结构演变
2.1 研究背景
2.2 实验方法
2.3 结果与讨论
2.4 结论
第三章 磷化铟纳米线中不同角度的弯曲结构的形成机理
3.1 研究背景
3.2 实验方法
3.3 结果与讨论
3.4 小结
第四章 磷化铟纳米线直径对孪晶缺陷密度的影响
4.1 研究背景
4.2 实验方法
4.3结果与讨论
4.4小结
总结与展望
一、 本论文主要的研究成果和结论
二、 后续工作建议与展望
参考文献
攻读硕士学位期间的研究成果
致谢
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