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噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料的合成及包含该材料的半导体设备

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本发明涉及具有下述通式的化合物和使用它的有机半导体设备，尤其，包括上述化合物的有机场效应晶体管(OFET)

著录项

公开/公告号CN102977084A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-20

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院化学研究所;
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申请/专利号CN201110304402.7
发明设计人乔雅丽;朱道本;张敬;徐伟;
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申请日2011-09-06
分类号C07D409/14;H01L51/30;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人段家荣
地址 100190 北京市海淀区中关村北一街2号
入库时间 2024-02-19 17:04:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-29

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C07D409/14 申请公布日:20130320 申请日:20110906

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-03-20

公开

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1. 噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料的合成及包含该材料的半导体设备 [P] . 中国专利： CN102977084A . 2013-03-20
2. 并噻吩并吡咯醌式化合物、制备方法及包含该材料的半导体设备 [P] . 中国专利： CN105837598A . 2016-08-10
3. junction photovoltaic element pin with a semiconductor layer of p-type or n-type comprising a material which is not single crystal containing zn, Se, Te, h in an amount of 1 to 4 atomic and a contaminant and semicondcutora layer i type comprising a material [P] . ES2073406T3 . 1995-08-16

机译：结光电元件引脚，其具有p型或n型半导体层，该半导体层包含非单晶材料，其包含1-4原子％的zn，Se，Te，h，以及i型污染物和半导体层一种材料
4. Pin junction photovoltaic element with P or N-type semiconductor layer comprising non-single crystal material containing Zn, Se, Te, H in an amount of 1 to 4 atomic and a dopant and I-type semiconductor layer comprising non-single crystal Si(H,F) material [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0317343B1 . 1995-07-05

机译：具有P或N型半导体层的Pin结光伏元件，该P或N型半导体层包括含量为1-4原子％的Zn，Se，Te，H的非单晶材料，以及包含非单晶Si的掺杂和I型半导体层（H，F）材料
5. Pin junction photovoltaic element with P or N-type semiconductor layer comprising non-single crystal material containing Zn, Se, H in an amount of 1 to 4 atomic and a dopant and I-type semiconductor layer comprising non-single crystal Si(H,F) material [P] . 美国专利： US4926229A . 1990-05-15

机译：带有P或N型半导体层的Pin结光伏元件，该P或N型半导体层包括含量为1-4原子％的Zn，Se，H的非单晶材料，以及包含非单晶Si（H）的掺杂和I型半导体层，F）材料