第一晶圆及其形成方法、晶圆堆叠结构

摘要

本发明提供一种第一晶圆及其形成方法、晶圆堆叠结构，第一晶圆包括：第一衬底、位于第一衬底上的第一介质层、嵌设于第一介质层中的第一金属层、贯穿部分第一介质层并暴露出第一金属层的第一开关孔、填充第一开关孔并与第一金属层电连接的第一互连层、位于所述介质层和所述第一互连层表面的第一绝缘层、贯穿所述第一绝缘层且暴露出所述第一互连层的第一接触孔、填充所述第一接触孔并与所述第一互连层电连接的第二互连层。通过第一接触孔和第一开关孔分段填充各自的互连层，降低了在引出第一金属层的高深宽比的孔中采用电镀铜方式填充互连层的工艺难度，增大了工艺窗口。