法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B23K26/362 授权公告日:20150422 终止日期:20171115 申请日:20121115
专利权的终止
2015-04-22
授权
授权
2013-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K26/36 申请日:20121115
实质审查的生效
2013-03-06
公开
公开
机译: 片状全息微刻蚀,衍射光栅,千分尺,像素图或其他光学元件的区域刻蚀系统
机译: 等离子刻蚀方法,等离子刻蚀系统,用于光学元件的模具和光学元件
机译: 用于湿法刻蚀的AlXGaI-XAs外延层的刻蚀剂以及使用该刻蚀剂制造半导体器件的方法