一种二极管芯片多层金属化层及其制作方法

摘要

本发明提供的一种二极管芯片多层金属化层；包括基底，所述基底上制作有二氧化硅层，所述二氧化硅层上扩散有PI层，所述二氧化硅层和PI层中心制作有金属层，所述金属层为铝钛金多金层。本发明采用铝钛金多层金属化层，克服了金属化层与芯片的硅表面及表面二氧化硅膜粘附性差、顶层金属易氧化等不足，且金属化层刻蚀过程工艺简单，不会出现刻蚀速率差异较大导致的金属化层钻蚀及翘曲等不良现象，且各层金属的热匹配性好，在后续的高温钎焊过程中不出现起皮，翘曲等异常情。