公开/公告号CN110518070A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-29
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳第三代半导体研究院;
申请/专利号CN201910828983.0
申请日2019-09-03
分类号
代理机构北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李明
地址 518000 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学台州楼一楼
入库时间 2024-02-19 16:06:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20190903
实质审查的生效
2019-11-29
公开
公开
机译: LDMOS器件,包括LDMOS器件的集成电路以及制造该器件的方法
机译: LDMOS器件结构及制造该LDMOS器件的方法
机译: 非对称掺杂的漏极(LDD)MOS的制造方法(轨道上无金属的方法制造不对称的LDD MOS器件)