NLDMOS器件的制造方法及该NLDMOS器件

摘要

本申请公开了一种NLDMOS器件的制造方法及该NLDMOS器件，包括：提供一衬底；在衬底上形成栅氧化层；对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除；在衬底和第一预定区域的栅氧化层上沉积多晶硅层；对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除，在第二预定区域形成第一栅极，在第三预定区域形成第二栅极，第一栅极和第二栅极的侧壁垂直于衬底；对衬底进行SD离子注入，在第一栅极和第二栅极两侧的衬底依次形成源极、漏极和源极；在源极、漏极和源极上依次形成接触孔和引线。通过本申请提供的方法制成的NLDMOS器件的第一栅极和第二栅极的侧壁垂直于衬底，因此能够缩小第一栅极和第二栅极之间的间距，提高了NLDMOS器件的集成度。