首页> 中国专利> 一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法

一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法

摘要

本发明提供了一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法,通过执行该方法,能够使得相对于传统的VCSEL阵列,在不需要设置漫射器等光学元件的条件下即可很容易地实现均匀的平顶远场,从而在良好满足TOF测量,以及实现一个VCSEL芯片可控的出现多种远场形状,以使用于不同的应用场景等需要的同时,显著降低了阵列及相应的模组成本,并具有了现有技术中所不具备的诸多有益效果。

著录项

  • 公开/公告号CN110620330A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州纵慧芯光半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201911138331.0

  • 发明设计人 张成;梁栋;霍轶杰;

    申请日2019-11-20

  • 分类号

  • 代理机构北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人阎冬

  • 地址 213161 江苏省常州市武进高新区凤翔路7号金沙江光电产业园办公楼五楼

  • 入库时间 2024-02-19 15:57:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/068 申请日:20191120

    实质审查的生效

  • 2019-12-27

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号