一种硅纳米晶/石墨烯宽光谱光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅纳米晶/石墨烯宽光谱光电探测器及其制备方法，其结构从下到上依次包括背面电极、衬底、硅纳米晶层、石墨烯层和正面电极；背面电极为Ti/Au/Ti电极；衬底为n型Si重掺杂；硅纳米晶层使用氢硅倍半环氧乙烷旋涂并高温退火后得到；石墨烯层为单层石墨烯，蒸镀Au转移获得；正面电极为Ti/Au电极。本发明的光电探测器能够对紫外、可见及近红外光学频谱范围进行响应，经硅纳米晶层与石墨烯层间的光致开关效应实现信号倍增，制备工艺简便，与CMOS工艺兼容。