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公开/公告号CN110582845A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201880028696.5
发明设计人 马伯方;赛沙德利·甘古利;陈世忠;拉杰什·沙西亚那拉亚南;阿达西·巴苏;董琳;吉田尚美;柳尚澔;吴立其;
申请日2018-07-12
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 15:53:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20180712
实质审查的生效
2019-12-17
公开
机译: 金属栅极的低厚度相关功函数nMOS集成
机译: 金属栅极的低厚度依赖功函数nMOS集成
机译:不同厚度的可调整功函数金属栅极到高/金属栅极CMOS FinFET的栅极优先集成
机译:通过控制金属栅极的厚度和成分来实现双金属栅极功函数
机译:掺铝的TiN金属栅极对NMOS的有效功函数的调制
机译:基于杂原子掺入到高K HFO_2栅极电介质的界面热力学控制栅极金属有效功函数和界面层厚度
机译:低功函数,长寿命长丝,用于基于电子束的电线馈电金属添加剂制造
机译:外延石墨烯上低功函数金属的表面电势和薄膜质量
机译:镧系元素注入用于NmOs高k /金属栅极堆叠中的有效功函数控制
机译:低功函数金属原子与体化学势的相关性;应用物理学报