半导体装置及减低半导体装置中扭结效应的方法

摘要

本发明实施例涉及一种半导体装置及减低半导体装置中扭结效应的方法。在一些实施例中，提供一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包含在半导体衬底上方形成垫堆叠，其中所述垫堆叠包含下垫层及上垫层。在所述半导体衬底中形成具有在第一方向上通过所述垫堆叠分离的一对隔离区段的隔离结构。去除所述上垫以形成开口，其中所述隔离区段分别具有在所述开口中按第一角度倾斜的相对侧壁。执行第一蚀刻，其在所述开口中部分去除所述下垫层及隔离区段，因此所述相对侧壁按大于所述第一角度的第二角度倾斜。执行第二蚀刻以修圆所述相对侧壁且从所述开口去除所述下垫层。在所述开口中形成浮动栅极。