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一种利用半导体光放大器中慢光效应实现光缓存的装置及方法

摘要

本发明公开了一种利用半导体光放大器中慢光效应实现光缓存的装置及方法,所述装置包括第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅;第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅组成光纤环;第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器和半导体光放大器构成干涉器;第一光耦合器的第一输入端输入信号光,第二光耦合器的第二输入端为控制光输入端,输出端通过光纤光栅与第三光耦合器的第二输入端;第三光耦合器的第二输出端输出信号光。相比目前的光缓存技术,利用半导体光放大器中的慢光效应可以调节光信号的缓存延时量。

著录项

  • 公开/公告号CN112261516A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京工程学院;

    申请/专利号CN202011292534.8

  • 发明设计人 覃翠;张健;赵静;余辉龙;巍峘;

    申请日2020-11-18

  • 分类号H04Q11/00(20060101);G02F1/39(20060101);G02B6/26(20060101);

  • 代理机构32252 南京钟山专利代理有限公司;

  • 代理人徐燕

  • 地址 211167 江苏省南京市江宁区科学园弘景大道1号

  • 入库时间 2023-06-19 09:40:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-24

    授权

    发明专利权授予

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