嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构

摘要

本发明公开了一种嵌入式锗硅器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一半导体衬底，在所述衬底上形成栅极结构及掩膜层；步骤S2，对掩膜层进行高温热处理；步骤S3，图案化蚀刻半导体衬底，并形成凹陷区；步骤S4，在所述凹陷区中生长种子层、主体层、盖帽层。本发明有利于提升逻辑区的性能，同时能有效改善SRAM区域生长不足的问题。