嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构

摘要

本发明公开了一种嵌入式锗硅制作方法，包括在半导体衬底上依次生成有源区、栅极、栅极绝缘层和锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层；在两栅极之间的有源区形中刻蚀成截面为坛形的浅沟槽，所述浅沟槽侧壁的一部分位于所述锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层和栅极侧墙正下方；清洗去除刻蚀残留物；刻蚀所述浅沟槽形成sigma型深沟槽，所述sigma型深沟槽顶部的一部分与所述锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层或栅极侧墙相邻，所述sigma型深沟槽两侧分别形成有向外延伸的尖端，所述尖端位于栅极正下方的有源区中；在sigma型深沟槽内生长锗硅外延形成嵌入式锗硅区。本发明还公开了一种嵌入式锗硅结构。本发明提升了锗硅对沟道的应力，增大了锗硅的体积，进一步的提升了锗硅对沟道的应力，从而提高PMOS器件性能。