在制备密集型微阵列结构过程中简便去除SU-8光刻胶的方法

摘要

一种在制备密集型微阵列结构过程中简便去除SU‑8光刻胶的方法，属于微制造技术领域，在金属铜基底上，经过匀胶、曝光及显影等工艺制作BN308光刻胶胶模作为隔离层。再通过设计掩模版图形，经过匀胶、曝光及显影等工艺制作存在间隙的SU‑8光刻胶胶模，随后进行微电铸和平坦化处理，最后利用溶胀原理去除SU‑8光刻胶得到制作的金属微阵列结构。本发明制作的微阵列结构的间距尺寸可大于25μm小于200μm，结构高度小于100μm。通过预置SU‑8光刻胶胶膜间隙，在不损坏电铸结构的前提下有效地去除了光刻胶，简化了制作工艺，降低了制作难度；另外，本发明具有去胶方便彻底、工艺简单、微结构形貌完好等优点。