公开/公告号CN110453193A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 亨泰光学股份有限公司;
申请/专利号CN201810428332.8
申请日2018-05-07
分类号
代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;
代理人孙皓晨
地址 中国台湾台北市
入库时间 2024-02-19 14:49:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/02 申请日:20180507
实质审查的生效
2019-11-15
公开
公开
机译: Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译: 化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法,以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译: Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法