形成在凹陷衬底上的分裂栅极闪存单元

摘要

公开了一种包括非易失性存储器(NVM)单元的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括形成在衬底的逻辑区域上的金属栅极逻辑晶体管，以及集成地形成在相同衬底的存储器区域中的第一凹槽中的NVM单元，其中，第一凹槽相对于逻辑区域中的衬底的第一表面凹陷。通常，金属栅极逻辑晶体管还包括在逻辑区域中的衬底的第一表面上方并且基本平行于该第一表面的平面化表的面，并且NVM单元被布置成低于金属栅极的平面化的表面的高度。在一些实施例中，逻辑晶体管是具有包括金属栅极和高k栅极电介质的栅极结构的高k金属栅极(HKMG)逻辑晶体管。还公开了其它实施例。