具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法

摘要

本发明提出了一种具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该结构的栅极采用金属‑半导体的整流接触，靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；所述栅极为肖特基接触，所述源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，二维电子气具有很高的迁移率，从而使具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。该结构具有更高的耐压、更大的电流密度，且能减小常规AlGaN/GaN中的电流崩塌，可大幅度提高器件的性能。