用于保形密封电介质封闭而无对底层结构材料的直接RF暴露的SiBN膜

摘要

本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。