具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成

摘要

可通过以下操作来形成集成电路(100)：从MOS晶体管栅极(114、132)的侧壁上的偏移间隔件移除源极/漏极间隔件；在所述MOS晶体管栅极的横向表面上形成触点蚀刻止挡层CESL间隔件层；回蚀所述CESL间隔件层以在所述MOS晶体管栅极的所述横向表面上形成具有为所述MOS晶体管栅极的1/4到3/4的高度的倾斜CESL间隔件(156)；在所述倾斜CESL间隔件、所述MOS晶体管栅极及介入衬底上方形成CESL(164)；及在所述CESL上方形成金属前电介质层(172)。