SRAM的存储单元结构版图、SRAM的存储单元结构及其版图

摘要

本发明涉及SRAM的存储单元结构版图、SRAM的存储单元结构及其版图，涉及半导体集成电路制造方法，在SRAM的存储单元结构中增加两个P型辅助管En1‑1和En1‑2，两个P型辅助管En1‑1和En1‑2把有源区AA连接起来，并两个P型辅助管En1‑1和En1‑2处于常关闭状态而永远无电流通过，所以具有本发明的SRAM的存储单元结构版图的SRAM的存储单元结构的读写操作和现有技术的SRAM的存储单元结构一致，且有效的抑制多晶硅和有源区的桥(bridge)缺陷，降低下拉管PU的电性失配(mismatch)，减少缺陷(defect)带来的器件失效，并其与传统工艺兼容，不增大成本。