锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件

摘要

本发明涉及锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件，涉及半导体集成电路制造技术，通过在Sigma结构中依次形成第一籽晶层、第二籽晶层、第三籽晶层、体锗硅层和盖帽层而形成锗硅外延层，其中，第一籽晶层中无掺杂；第二籽晶层中掺杂硼，增加厚度到150A‑200A；第三籽晶层中掺杂锗但不掺杂硼而作为后续形成的体锗硅层的隔离层和缓冲层；体锗硅层中掺杂锗但不掺杂硼，以使第二籽晶层形成电荷的传输层，使体锗硅层形成应力层，如此实现电荷传输层与应力功能层的空间隔离，使应力和电流场分离调控，进而提高器件的漏电和性能控制。