退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110391153A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-29
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910275042.9
发明设计人 程明灏;柳永洙;金成采;金锺洙;徐元国;崔昌勋;河政秀;
申请日2019-04-08
分类号H01L21/67(20060101);H01L21/677(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人刘灿强;韩芳
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2024-02-19 14:21:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-29
公开
机译: 用于减少负载端口模块中的前开口统一吊舱的水分的装置和包括该的半导体工艺装置
机译: 用于减少传送室中的前开口统一吊舱的水分和包括该的半导体工艺装置的装置
机译: 用于减少负载端口模块中的前开口统一吊舱的水分的装置和包括该载荷模块的半导体工艺装置
机译:半导体工艺装置安装的三维化,产生特殊材料气体
机译:通过12/25/5/40 V双极互补金属氧化物半导体双扩散金属氧化物半导体工艺制造450 V额定绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体工艺体硅基板
机译:第45nm-15次半导体工艺研讨会报告后的半导体工艺技术
机译:用于先进半导体工艺开发的单粒子电感耦合等离子体质谱计量学
机译:用于电介质蚀刻的环境友好的半导体工艺。
机译:射频MEMS开关的制造和测试使用互补金属氧化物半导体工艺
机译:半导体工艺和电化学(1)1。半导体工艺技术的趋势
机译:半导体工艺合成。用于快速设备和工艺开发的虚拟反应器和配方合成框架